高级电源
在高级电源中引入GaN技术
电力电子工程师们一直在寻找一种完美的开关，这种开关可以有效地将电能转换成具有有用电子流的受控能量。理想情况下，一个允许在零时间切换，携带无限电流和阻断无限电压。实际上，更快的开关具有更小的电容和更低的传导损耗。让我们来介绍甘！
氮化镓（GaN）是镓和氮的无机化合物，具有高硬度和机械稳定性的六角晶体结构。它是一种带隙为3.4eV的半导体材料，是硅的三倍，因此被认为是宽带隙材料或半导体（WBG）。WBG允许在比传统硅更高的电压、频率和温度下工作。这转化为更小的电感器、电容器和散热器，可能消除风扇，以及在开关电源转换器中从液体冷却转换为空气冷却。GaN晶体管的开关和传导损耗较低，因为较宽的带隙允许开发具有非常短或窄的耗尽区的半导体，从而导致具有非常高载流子密度的器件结构。使用更小的晶体管和更短的电流路径，可以实现非常低的电阻和电容，从而实现更高的开关速度。
在电力电子应用中，通常使用GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT），其具有优异的电性能（高电子迁移率、高载流子浓度和高临界电场）。这些是场效应晶体管（FET），它在两种不同带隙的材料之间结合了一个称为2DEG的异质结作为沟道，而不是像MOSFET那样的掺杂区域。
